可彎曲的存儲芯片，你聽說了嗎？

材料牛注：新加坡國立大學（NUS）研究團隊通過在柔性塑料表面上嵌入磁性存儲芯片而開發出一種柔性磁存儲芯片，該芯片磁道磁電阻能達到300%，為柔性電子產品的發展做出了巨大貢獻。

新加坡國立大學的研究人員開發出一種透明“智能”塑料，它具有足夠的柔韌性，可以彎曲成管狀。與此同時，它具備優異的數據存儲和處理能力。這項發明為柔性電子產品的開發打開了一個突破口，意味著可穿戴電子產品在不久的將來將成為現實。

柔性磁存儲設備作為可穿戴電子設備實現數據存儲和處理的基本組件，近年來已經引起了廣泛的關注。盡管科學家們已經在不同類型存儲芯片和材料上進行了大量的研究，但要在柔性基座上制備高性能存儲芯片而無損其性能仍面臨巨大的挑戰。

應對當前的技術挑戰，新加坡國立大學Yang Hyunsoo副教授領導的研究小組開發了一種植入芯片的新技術。他們首先將氧化鎂基磁性隧道結（MTJ）種植在硅表面，然后再刻蝕掉底層的硅，隨后使用轉印方法，在一個由聚對苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面植入了一個磁性存儲芯片。

芯片在磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）上的操作表明，MRAM的性能在許多方面都優于傳統隨機存取存儲（RAM）器芯片，比如，處理速度更高、功耗更低、斷電后可保留數據等。

這種新型存儲芯片將作為柔性輕便設備設計和開發的關鍵部件，在汽車、醫療電子、工業電機控制和機器人、工業電力和能源管理，以及軍事和航空電子系統的應用中具有巨大潛力。

Yang Hyunsoo副教授表示：“我們是首個在柔性表面制備磁性存儲器的團隊。實驗表明，我們的設備磁道磁電阻能達到300%。同時，我們也在設法改進開關的控制功能，從而使柔性磁性芯片實現更快的數據傳輸。”

Yang Hyunsoo副教授和他的團隊最近在美國和韓國申請了這項技術的專利。目前他們正進一步通過微調磁結構的應變來提高裝置的磁電阻，并計劃將其應用在其他各種電子器件中，相關研究結果發表在在Advanced Materials雜志上。

參考原文鏈接：Plastic flexible magnetic memory device?

本文由編輯部尉谷雨提供素材，羅春蘭編譯，劉宇龍審核，點我加入材料人編輯部。