JACS: K2Bi8Se13中的多重導帶結合:一種具有極低熱導率的熱電材料
【引言】
高效的熱電材料因為可以直接將熱能和電能進行轉換,因此得到了極大關注。關系熱電材料性能的三個參數就是所謂的“無量綱品質因數”,即ZT。理想情況下,高性能的熱電材料應該同時具有高的電導率和塞貝克系數(Seebeck coefficient)以及最小的總熱導率。然而,由于塞貝克系數S、電導率σ和總熱導率κ之間的復雜關系,因此,要得到具有極高ZT的熱電材料是極具挑戰的。目前,增加ZT主要是通過能帶結構的剪裁、減小熱導率提高功率因數實現的。此外,作為唯一的獨立參數,減小晶格熱導率(κlat)也是提高ZT的有效方法。包括原子、納米和介觀尺度的復雜調控方法都應用到了減小晶格熱導率(κlat)中。除此之外,某些單相的化合物也具有低的熱導率。SnSe由于具有多重的價帶結構和極低的晶格熱導率而具有極高的功率因數。先前對于K2Bi8Se13的研究也指出了其復雜的晶體結構和低的熱導率。然而,目前并未有關于K2Bi8Se13體系中摻雜和高溫下性能的報道。
【成果簡介】
近日,來自北京航空航天大學的趙立東教授和美國西北大學的譚剛健博士(共同通訊)報道了具有極高熱電品質因數的K2Bi8Se13,并研究了其機理。該成果以“Multiple Converged Conduction Bands in K2Bi8Se13: A Promising Thermoelectric Material with Extremely Low Thermal Conductivity”為題發表在了2016年11月28日的Journal of the American Chemical Society上。
實驗表明,K2Bi8Se13表現出了相距很近的多重導帶,通過摻雜可以對其進行活化,這導致了在升溫的過程中K2Bi8Se13具有極高的塞貝克系數和功率因數。由于晶胞單元大、復雜的低對稱晶體結構和非指向性的鍵合使得其在300-873K的溫度區間內表現出了0.42和0.20W m-1 K-1的極低晶格熱導率。此外,聲子速率測試結果表明其在平均聲子速率(1605ms-1)、楊氏模量(37.1GPa)、Gru?neisen參數(1.71)和德拜溫度(154K)等參數上都表現突出。利用透射電鏡和電子衍射對樣品微結構和缺陷的分析表明次生相K2.5Bi8.5Se14是沿著K2Bi8Se13共生存在的。大的功率因數和低的熱導率導致了電子摻雜的K2Bi8Se13在873K時具有約1.3的品質因數ZT。
【圖文導讀】
圖1 K2Bi8Se13的晶體結構
圖2?摻雜不同量BiCl3 的K2Bi8Se13的XRD分析
(a)摻雜不同量BiCl3 的K2Bi8Se13的XRD圖
(b)通過衍射數據得到的里特維德兩相精修擬合圖
圖3 K2Bi8Se13的能帶結構分析
(a)具有自旋軌道耦合(SOC)的K2Bi8Se13的電子結構
(b)總態密度和投射態密度
(c)Se原子的p軌道分布
(d)Bi原子的p軌道分布
圖4 K2Bi8Se13的透射電鏡和電子衍射分析
(a)K2Bi8Se13沿[010]方向透射電鏡低倍圖片
(b)嵌入K2.5Bi8.5Se14相的K2Bi8Se13的高倍透射電圖
(c)兩相(K2.5Bi8.5Se14和K2Bi8Se13)的電子衍射圖
(d)K2Bi8Se13中的堆疊層錯(SF)
(e)K2Bi8Se13的低角度晶粒晶界(SAGB)
(f)低角度晶粒晶界(SAGB)的電子衍射圖
圖5 不同載流子濃度下K2Bi8Se13的熱電性質隨溫度變化圖
(a)電導率
(b)塞貝克系數
(c)功率因數
(d)Pisarenko曲線
圖6?不同載流子濃度下K2Bi8Se13的熱電性質隨溫度變化圖
(a)總熱導率
(b)晶格熱導率
(c)K2Bi8Se13和一些具有低熱導率的熱電材料間晶格熱導率的比較
(d)品質因數ZT
【小結】
工業生產和人類生活中產生的大量熱能大部分都被直接排放進了地球大氣中,這造成了極大的能源浪費,因此,收集這些廢熱將其轉化為電能就成為了極具應用前景的研究課題。本文中研究的熱電材料K2Bi8Se13具有極其優異的熱電性能,對其結構的分析揭示了其具有優異性能的原因,這也為材料的進一步應用提供了基礎。
文獻鏈接:Multiple Converged Conduction Bands in K2Bi8Se13: A Promising?Thermoelectric Material with Extremely Low Thermal Conductivity(J. Am. Chem. Soc., 2016, DOI: 10.1021/jacs.6b09568)
本文由材料人電子電工學術組大城小愛供稿,材料牛整理編輯。
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