鄭州大學李保軍教授EEM:基于分子前驅體熱解得到Bi2S3納米棒負載在氧化還原石墨烯薄片用于高效鋰離子存儲
成果簡介
近日,鄭州大學李保軍教授課題組在Energy & Environmental Materials上發表了題為“Bi2S3?Nanorods Hosted on rGO Sheets from Pyrolysis of Molecular Precursors for Efficient Li-Ion Storage”的研究論文。該團隊采用分子前驅體裂解法得到了負載納米棒狀Bi2S3的還原氧化石墨烯。該復合材料的負極性能明顯優于初始Bi2S3。還原氧化石墨烯的引入使得石墨烯與Bi2S3之間的界面緊密接觸,其界面協同效應提高了Bi2S3的導電性和鋰離子存儲性能。該材料在0.2A g-1的電流密度下循環200周后其比容量仍可達558.4 mAh g-1。同時通過理論計算證明了還原氧化石墨烯對Bi2S3的電子態密度和能帶結構具有一定的調節作用。本研究為其他金屬硫化物/還原氧化石墨烯納米材料的制備及其在電池研究中的應用提供了新的思路。
文章簡讀
鋰離子電池(LIBs)負極材料通常包括碳基化合物、金屬硫化物、金屬氧化物等。但由于硫元素的電負性小于氧元素的電負性,因此金屬硫化物的比容量一般高于氧化物。Bi2S3因其獨特的層狀結構和理論比容量(625 mAh g-1,4250 mAh cm-3)被認為是LIBs理想的負極材料。但在實際的鋰離子嵌入過程中,會發生兩個反應(Bi2S3?+ 6Li → 3Li2S + 2Bi、Bi + 3Li → Li3Bi)。而這兩個反應都會使材料發生不同程度的體積膨脹。因此在反復放/充過程中由于Bi2S3體積膨脹的固有缺陷,造成負極側容量衰減,最終導致循環壽命減短,倍率性能變差,嚴重制約了Bi2S3作為負極材料在LIBs中的應用。
而通常有效的策略是將Bi2S3設計為納米/微米結構,提供更大的表面積以及縮短Li+離子擴散路徑,以緩解鋰離子嵌入Bi2S3引起的體積變化大的問題。而另一種策略是將Bi2S3負載到導電碳基體上,通過二者的協同作用提高鋰的存儲性能和結構穩定性。在本文中我們結合以上兩種策略即將納米Bi2S3負載在導電碳基體上,從而實現Bi2S3作為負極材料在LIBs中的應用。
Bi2S3的制備方法有球磨,水熱以及溶劑法等,每種方法都可制備獨特形貌的Bi2S3。而分子前驅體熱解法可以通過改變實驗參數,從而精確調控目標產物的晶相、組成和形貌。利用有機分子配體和金屬鉍鹽合成分子前驅體,使金屬原子高度分散。而有機配體的快速熱解有利于形成表面能較高的界面,暴露更多的活性位點,提高鋰離子的存儲性能;同時由于石墨烯表面親水性差,一般與金屬硫化物不相容,而有機配體可以使金屬鉍鹽與石墨烯更容易接觸,提高了材料的導電性。在熱解過程中,有機配體的分解產生豐富的孔隙結構,有利于Li+離子的遷移。而該方法已應用于硫化鈷的制備,對性能的提高有顯著作用。因此采用此法實現納米棒狀Bi2S3負載在還原氧化石墨烯。
而合成的負載納米棒狀Bi2S3的還原氧化石墨烯,由于Bi2S3與還原氧化石墨烯界面的電荷極化作用促進了電荷轉移,同時由于納米棒狀以及少量空心納米棒狀結構的Bi2S3的存在縮短了鋰離子擴散路徑,增加了電極與電解質之間的接觸面積,因此具有優異的動力學性能。另外還原氧化石墨烯具有表面積大和導電性好等特點,提高電子遷移速率,有效縮短電子和鋰離子的遷移路徑。因此制備的BSG-400材料表現出良好的鋰存儲能力。總的來說,這項工作為金屬化合物/還原氧化石墨烯復合材料的發展提供了一個通用的策略,提高與電池比容量的相關的電化學性能。
圖1.?a)從分子前驅體到BSG-400樣品的示意圖;b) BSG-300、BSG-400、BSG-500、BSG-600、BSG-700和BS樣品的XRD譜圖;c) BSG-700與Bi標準PDF卡的XRD譜圖,以及d) Bi(S2CNEt2)3和e) Bi(S2CNEt2)3/GO前驅體在Ar氣氛下的TG曲線。
圖2.?a) Bi(S2CNEt2)3、c) BS (插圖:樣品不含P123的透射圖)、d) BSG-300、f,g) BSG-400和 i) BSG-700的透射圖像;b) BS、e) BS-400和 h) BSG-700的掃描圖像;j) BSG-400的能量色散譜圖;k) N2吸附和解吸等溫線;l) BS和BSG-400的孔隙分布圖。
圖3.?a) BSG-400、BSG-300、BSG-400、BSG-500、BSG-600、BSG-700的拉曼光譜,b) BS和BSG-400的拉曼光譜,c) BSG-400的高分辨率XPS圖譜, d) Bi 4f, S 2p、e) c 1s和 f) N 1s 的XPS光譜圖。
圖4.?a) BSG-400和 b) BS以0.2g A-1的電流密度前四個循環的充放電曲線圖;c) BSG-400和 d) BS以0.1mV S-1掃描速率的CV圖。
圖5.?a) BS和BSG-400在不同電流密度下的充放電循環圖;b) BSG-500、BSG-600和BSG-700電極在0.2A g-1的充放電循環性能圖;c) BS和BSG-400循環前后的電化學阻抗譜;d) BS和BSG-400的變倍率性能圖。
文獻鏈接
Zhongshuang Li, Mengmeng He, Bing Bo, Huijuan Wei, Yanyan Liu, Hao Wen, Yushan Liu, Ke Zhang, Panke Zhang*, Baojun Li*.?Bi2S3?Nanorods Hosted on rGO Sheets from Pyrolysis of Molecular Precursors for Efficient Li-Ion Storage.?Energy?Environ.?Mater.?2020.
DOI: 10.1002/eem2.12138.
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