中科院上海微系統所 Science：非易失性相變存儲器

木文韜 2年前 (2021-12-10) 6728瀏覽

【引言】

非易失性相變存儲器已經成功地商業化，但要進一步將密度縮小到10?nm以下，需要為存儲單元和相關的垂直堆疊的雙端訪問開關在成分和結構上均質的材料。選擇器開關主要是非晶硫族化物Ovonic閾值開關(OTSs)，在非晶狀態下，其工作時的非線性電流響應高于閾值電壓。然而，它們目前由于所使用的第四系或更多樣化的硫族化合物所帶來的化學復雜性而受到影響。

【成果簡介】

今日，在中國科學院上海微系統與信息技術研究所朱敏研究員和宋志棠研究員團隊等人帶領下，提出了一種單元素碲（Te）易失性開關，具有較大的驅動電流密度（≥11兆安培/平方厘米），~10³開/關電流比，超過20納秒的開關速度。低OFF電流是由于Te電極界面上存在~0.95電子伏肖特基勢壘而產生的，而純Te的瞬態電壓脈沖誘導晶液熔融轉變則導致高ON電流。研究發現的單元素電子開關可能有助于實現更密集的存儲芯片。相關成果以題為“Elemental electrical switch enabling phase segregation–free operation”發表在了Science。