頂刊 加州大學最新Science:抑制單層半導體中所有激子密度下的非輻射衰變 木文韜 ? 3年前 (2021-07-23) 【引言】 過渡金屬二硫屬化物(TMDC)單層單層中的激子復合取決于激子生成速率(G)、背景載流子濃度和電子能帶結構。在電容...