Adv. Funct. Mater.:CsPbBr3鈣鈦礦納米線與納米棒之間的可逆轉變及其偏振光電特性


【背景介紹】

以銫鉛鹵化物(CsPbX3,X=Cl、Br、I)為代表的全無機鈣鈦礦半導體具有載流子遷移率高、擴散長度長、光電轉換效率高、熒光量子產率高等優點,其在光伏、光電、催化等領域有著廣闊的應用前景。由于尺寸和量子限制效應,納米CsPbX3的物理性質可以進行靈活的設計,其中CsPbX3超細納米線/納米棒的物理性質在軸向和徑向上具有顯著差異而備受關注。因此,合成尺寸和形貌可控的高質量納米CsPbX3是其性質與應用研究的基礎。然而,目前在強量子限制尺寸范圍內對CsPbX3納米棒/納米線的直徑和長度進行精細控制仍然面臨挑戰。

【成果簡介】

近日,清華大學王訓教授、南京師范大學徐翔星教授(共同通訊作者)等人報道了一種直徑2-3 nm超細CsPbX3鈣鈦礦納米線的室溫合成法。研究發現,CsPbBr3納米線的形態在反應溶液中能長時間穩定保存;而分散在環己烷中,它們會轉變成納米棒,納米棒的長度和直徑可通過濃度和時間調控;將這些納米棒分散到合成上清液中,又能重新轉變為納米線。作者在文中對該現象進行了深入分析和討論,加深了人們對鈣鈦礦納米材料穩定性、形貌和相轉變的認識。作者還研究了這些納米棒/納米線的偏振光電特性并制備了相應的線偏振光探測器。研究成果以題為“Reversible Transformation between CsPbBr3 Perovskite Nanowires and Nanorods with Polarized Optoelectronic Properties”發布在國際著名期刊Adv. Funct. Mater.上。

【圖文解讀】

圖一、超細CsPbX3鈣鈦礦納米線的TEM圖像
a)超細CsPbCl3納米線;

b)超細CsPbClxBr3-x納米線;

c)超細CsPbBr3納米線;

d)超細CsPbBrxI3-x納米線;

e)超細CsPbI3納米線;

f)其在環己烷溶液中和紫外光激發下的照片。

圖二、CsPbBr3納米線和納米棒的XRD譜圖

圖三、CsPbBr3納米棒和納米線的TEM/HRTEM表征與可逆轉化
a-d)不同尺寸CsPbBr3納米棒的TEM圖像,其中a)≈5.2*18 nm、b)≈6.6*32 nm、c)≈8.5*55 nm和d)≈4.8*79 nm;

e-f)尺寸≈5.1*50 nm CsPbBr3納米棒與轉化為納米線的TEM圖像;

g-h)尺寸≈4.6*45 nm CsPbBr3納米棒與轉化為納米線的TEM圖像;

i)CsPbBr3納米線與納米棒之間的相互轉化示意圖。

圖四、CsPbBr3納米線和納米棒的光譜與尺寸分布
a)CsPbX3納米線的紫外-可見光吸收光譜和PL光譜;

b-c)CsPbBr3納米棒的紫外-可見光吸收光譜和PL光譜,以及直徑和長度分布。

圖五、CsPbBr3納米棒(≈4.8*79 nm)的PL極化特性
a)鈣鈦礦膠體溶液線性極化激發的PL極化測量示意圖;

b)CsPbBr3納米棒溶液的極化PL;

c-d)利用線性極化激發對鈣鈦礦薄膜進行PL極化測量的示意圖,以及CsPbBr3納米棒薄膜的極化PL。

圖六、具有極化光電特性的定向組裝CsPbBr3納米線
a)用于光電測量的叉指電極的圖像;

b)通過刷涂制備的組裝的CsPbBr3納米線薄膜的典型SEM圖像;

c)通過垂直或平行于刷涂方向的線性偏振器觀察到的相應PL;

d)溶液和薄膜中CsPbBr3納米線的極化吸收光譜;

e)定向組裝的CsPbBr3納米線薄膜的偏振敏感光電探測性能。

【小結】

綜上所述,作者發展了一種室溫合成超細CsPbX3納米線的方法。將CsPbBr3納米線分散于環己烷,通過控制其濃度和室溫熟化時間,納米線可轉變成直徑和長度可調的納米棒。該過程無需添加反應物或表面活性劑、無需加熱、無需進一步純化即可實現形態轉變。所制備的納米線/納米棒具有與初始納米線相同的表面修飾配體和質量濃度。作者進一步實現了納米棒向納米線的反向轉變,提出了鈣鈦礦納米線和納米棒相互轉變的控制機理,為鈣鈦礦納米晶的形貌控制開辟了一條新的途徑,并有望應用于其他納米晶體和溶液體系。作者利用偏振吸收和發射模型研究了CsPbBr3納米線和納米棒的偏振光電性質。其中,定向組裝的CsPbBr3納米棒獲得了高達0.9的光致發光極化,制備了偏振型光電探測器。鈣鈦礦納米線和納米棒的偏振相關光電特性對研究1D/準1D系統中與維度相關的激子物理,以及對利用圖案化的納米線/納米棒組裝體構建新型功能化光電子器件提供了基礎和啟發。

文獻鏈接:Reversible Transformation between CsPbBr3 Perovskite Nanowires and Nanorods with Polarized Optoelectronic Properties. Adv. Funct. Mater., 2021, DOI: 10.1002/adfm.202011251.

本文由CQR編譯。

歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻進行深入解讀,投稿郵箱:tougao@cailiaoren.com.

投稿以及內容合作可加編輯微信:cailiaokefu.

分享到