浙江大學&中南大學Nature:揭秘黑砷中自旋軌道耦合與斯塔克效應的協同作用
【引言】
當自旋軌道耦合(SOC)與庫侖相互作用、拓撲結構和外部調制力動態相互作用時,非中心對稱二維電子系統中可能會出現令人興奮的現象。當耦合通過量子約束的原子精度控制和電場的外部調制、電荷摻雜和/或范德韋爾斯(vdW)異質結構進行調諧時,vdW晶體的出現為探索二維極限中的SOC物理提供了前所未有的機會。
今日,浙江大學鄭毅研究員,許祝安教授聯合中南大學夏慶林副教授(共同通訊作者)報道了中心對稱的幾層黑砷中SOC和斯塔克(Stark)效應之間的協同效應,表現為粒子-孔不對稱的拉什巴(Rashba)效應和由靜電門控可逆控制的量子霍爾態。這些不尋常的缺陷源于黑砷的彎曲正方形晶格,其中4p軌道形成一個具有Pz對稱的以布里淵區為中心的Γ谷,在X點的時間恢復不變動量附近與Px起源的D谷共存。當垂直電場破壞了結構反轉對稱時,Px帶激活強拉什巴SOC,產生自旋谷有利的D±谷,而Γ谷的拉什巴分裂受到Pz對稱的限制。有趣的是,巨大的斯塔克效應表現出相同的Px軌道選擇性。這種協調能夠實現對二維空穴氣體的可調的拉什巴谷,特征在于量子霍爾態依賴的朗道能級的形成,量子霍爾態中非常規的躍遷奇偶性問題。相關研究成果以“Rashba valleys and quantum Hall states in few-layer black arsenic”為題發表在Nature上。
【圖文導讀】
圖一、Rashba和Stark效應的協同作用
圖二、BAs?2DHG和2DEG中的SdHOs和QHS轉換
圖三、Rashba谷形成的量子霍爾特征
圖四、BAs?2DHG和2DEG的Rashba拓撲結構
文獻鏈接:“Rashba valleys and quantum Hall states in few-layer black arsenic”(Nature,2021,10.1038/s41586-021-03449-8)
本文由材料人CYM編譯供稿。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻進行深入解讀,投稿郵箱tougao@cailiaoren.com。
材料人投稿以及內容合作可加編輯微信:cailiaokefu 。
文章評論(0)