法國索邦大學Nat. Commun.:雙色光發射的二維半導體納米片
- 【導讀】
基于半導體量子點的顯示技術,是未來發展的重要方向。目前,在光致發光顯示模式中,三基色的實現依賴于InGaN藍光芯片和分別發射綠光和紅光的兩種量子點之間的相互配合。對于不同量子點,通常需要不同的合成和后處理策略。如果能在一種量子點中實現綠光和紅光的雙重發射,則可大幅降低實際生產成本。
- 【成果掠影】
近日,法國索邦大學Sandrine Ithurria團隊發表了新的研究論文,通過構建CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片,成功實現了綠-紅雙重光發射。在該項研究中,作者以具有本征窄帶綠光發射的CdSe的納米片為核心(510 nm, FWHM: 0.8 eV),構建了具有II型能帶結構的CdSe/CdTe異質結。在此基礎上,又在外圍進一步生長了一層CdSe來減慢熱激子的弛豫速率。由于聲子瓶頸導致的較慢的電子-空穴分離,在該結構中可以同時實現源于CdSe本身的半高峰寬僅為12 nm的窄帶綠光發射和來自于CdSe/CdTe界面的深紅光發射。進一步的研究表明,紅綠光發射組分的強度不僅可以通過納米片結構調控,也可以通過激發光強度和電致發光過程中偏壓的大小實現調控。
相關研究文章以“Double-crowned 2D semiconductor nanoplatelets with bicolor power-tunable emission”為題發表在Nature Communications上。
- 【核心創新點】
通過合成聲子瓶頸效應顯著的具有II型能帶結構的CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片,實現了綠紅雙重光發射。
- 【數據概覽】
圖1. CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片的形貌和發光特征??2022 The Authors
圖2. CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片雙重光發射的起源??2022 The Authors
圖3. CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片發光特性隨激發光強度的變化??2022 The Authors
圖4. CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片發光特性隨激發光強度變化的本源 ?2022 The Authors
圖5. 基于雙重光發射的CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片的電致發光器件 ?2022 The Authors
- 【成果啟示】
綜上,具有綠-紅雙重光發射的CdSe/CdTe/CdSe異質結結構納米片對進一步簡化基于量子點的顯示技術有重要意義。
文章鏈接:Double-crowned 2D semiconductor nanoplatelets with bicolor power-tunable emission, 2022, 13
DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-022-32713-2
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