超“平整”材料或將打破摩爾定律

圖注：由錫和氧組成的更快的半導體。

材料牛注：來自猶他大學的研究人員發現了一種新型二維材料，這種材料可以使電子更快速地運動，這一定程度上打破了原有的摩爾定律。

研究人員可以用新的材料來抵御摩爾定律，使電子更快的從A點移動到B點。猶他大學的工程師們發現了一種新型平板半導體材料，它只有一個原子厚，可以使電荷比硅或其他三維材料更快的通過它。

電荷在通過傳統電子設備中運動（晶體管或由玻璃基板上的硅層組成的其他組件）時將向各個方向上發生散射。然而在早前，工程師們研究二維材料（如石墨烯、二硫化鉬和硼墨烯）時發現，由于它們能夠迫使電子只運動在一層上，因此這種散射會大大減弱，因此電子移動的更快。

Tiwari說，新材料在電子加速方面對原有的理論做了重要的補充，不同于石墨烯和近原子厚度材料，新材料允許負電子、正電荷或空穴穿過它。這讓該團隊把新材料作為第一個穩定存在的的p型二維半導體材料。

“現在我們萬事俱備，”他說。“事情會更順利地發展。”

該團隊認為二維材料將使制造的晶體管比目前使用的更小、更快。使計算機和移動設備的速度比目前的設備快100倍，運行時散熱好、效率高，從而延長電池壽命。

這個領域現在非常熱門，所以在兩到三年內，我們至少應該看到一些原型設備。

本研究發表在本周的Advanced Electronic Materials期刊上。

參考原文鏈接：Super flat material could extend life of Moore's Law

本文由編輯部張瑩提供素材，于晗編譯，點我加入編輯部。

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