Science Advances: 2D金屬與2D半導體搭伙 構建載流子通道

二維半導體被認為有望替代硅，成為下一代電子器件的主要材料。然而傳統金屬材料和二維半導體之間通常有很大的接觸電阻，載流子很難從金屬電極流入二維半導體。研究發現，原因在于材料之間存在較強的結合力，產生了大量的界面態，從而限制了費米能的調整。

最近，國家再生能源實驗室的Yuanyue Liu（現加州理工）、Pauls Stradins,和Su-Huai Wei （現北京計算科學研究中心）提出了一種新的解決方案。他們發現二維材料之間存在獨特的范德瓦爾斯作用，從而抑制了界面態的形成。利用二維金屬代替傳統的金屬材料，就能實現在載流子在兩種材料間的流動。而且發現，選用不同的二維金屬材料，可以調節界面處電子和空穴的分離效率和光致電壓，從而提高二維光伏器件的性能。

這一成果發表在Science Advances上。文獻鏈接：Van der Waals metal-semiconductor junction: Weak Fermi level pinning enables effective tuning of Schottky barrier